MOSFET ON Semiconductor FDC6561AN N/A N/A FDC6561AN
Marka
Symbol
1263375
Kod producenta
2050002640696
C(ISS)
220 pF
Cecha tranzystora
Poziom bramki logicznej
I(d)
2.5 A
Ilość kanałów
2
Kod producenta
OnS
Maksymalna temperatura robocza
+150 °C
Minimalna temperatura robocza
-55 °C
Moc (maks) P(TOT)
700 mW
Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
30 V
Napięcie odniesienia C(ISS)
15 V
Napięcie odniesienia Q(G)
5 V
Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
Natężenie odniesienia R(DS)(on)
2.5 A
Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
Obudowa
SOT-23-6
Q(G)
3.2 nC
R(DS) wł.
95 mΩ
Seria (elementu półprzewodnikowego)
PowerTrench®
Sposób montażu
montaż na powierzchni
U(DSS)
30 V
U(GS)(th) max.
3 V
Wykonanie
Kanał-N
Zapytaj o produkt
Napisz swoją opinię
