MOSFET ON Semiconductor FDV301N N/A N/A FDV301N
MOSFET ON Semiconductor FDV301N N/A N/A FDV301N
Marka
Symbol
1264012
Kod producenta
2050002647060
C(ISS)
9.5 pF
Cecha tranzystora
Poziom bramki logicznej
I(d)
220 mA
Ilość kanałów
1
Kod producenta
OnS
Maksymalna temperatura robocza
+150 °C
Minimalna temperatura robocza
-55 °C
Moc (maks) P(TOT)
350 mW
Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
25 V
Napięcie odniesienia C(ISS)
10 V
Napięcie odniesienia Q(G)
4.5 V
Napięcie odniesienia R(DS)(on)
4.5 V
Natężenie odniesienia R(DS)(on)
400 mA
Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
Obudowa
SOT-23-3
Q(G)
0.7 nC
R(DS) wł.
4 Ω
Sposób montażu
montaż na powierzchni
U(DSS)
25 V
U(GS)(th) max.
1.06 V
Wykonanie
Kanał-N
Zapytaj o produkt
Napisz swoją opinię