MOSFET ON Semiconductor FQP13N06L N/A N/A FQP13N06L
MOSFET ON Semiconductor FQP13N06L N/A N/A FQP13N06L
Marka
Symbol
1264180
Kod producenta
2050002648746
C(ISS)
350 pF
Cecha tranzystora
standardowy
I(d)
13.6 A
Ilość kanałów
1
Kod producenta
OnS
Maksymalna temperatura robocza
+175 °C
Minimalna temperatura robocza
-55 °C
Moc (maks) P(TOT)
45 W
Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
60 V
Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
Napięcie odniesienia Q(G)
5 V
Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
Natężenie odniesienia R(DS)(on)
6.8 A
Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
Obudowa
TO-220-3
Q(G)
6.4 nC
R(DS) wł.
110 mΩ
Seria (elementu półprzewodnikowego)
QFET®
Sposób montażu
do montażu w otworach
U(DSS)
60 V
U(GS)(th) max.
2.5 V
Wykonanie
Kanał-N
Zapytaj o produkt
Napisz swoją opinię