MOSFET ON Semiconductor FQP4N80 N/A N/A FQP4N80
MOSFET ON Semiconductor FQP4N80 N/A N/A FQP4N80
Marka
Symbol
1264210
Kod producenta
2050002649040
C(ISS)
880 pF
Cecha tranzystora
standardowy
I(d)
3.9 A
Ilość kanałów
1
Kod producenta
OnS
Maksymalna temperatura robocza
+150 °C
Minimalna temperatura robocza
-55 °C
Moc (maks) P(TOT)
130 W
Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
800 V
Napięcie odniesienia C(ISS)
25 V
Napięcie odniesienia Q(G)
10 V
Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
Natężenie odniesienia R(DS)(on)
1.95 A
Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
Obudowa
TO-220-3
Q(G)
25 nC
R(DS) wł.
3.6 Ω
Seria (elementu półprzewodnikowego)
QFET®
Sposób montażu
do montażu w otworach
U(DSS)
800 V
U(GS)(th) max.
5 V
Wykonanie
Kanał-N
Zapytaj o produkt
Napisz swoją opinię