MOSFET ON Semiconductor NDS355AN N/A N/A NDS355AN
MOSFET ON Semiconductor NDS355AN N/A N/A NDS355AN
Marka
Symbol
1264969
Kod producenta
2050002656635
C(ISS)
195 pF
Cecha tranzystora
Poziom bramki logicznej
I(d)
1.7 A
Ilość kanałów
1
Kod producenta
OnS
Maksymalna temperatura robocza
+150 °C
Minimalna temperatura robocza
-55 °C
Moc (maks) P(TOT)
460 mW
Napięcie niszczące U(BR) (DSS)
30 V
Napięcie odniesienia C(ISS)
15 V
Napięcie odniesienia Q(G)
5 V
Napięcie odniesienia R(DS)(on)
10 V
Natężenie odniesienia R(DS)(on)
1.9 A
Natężenie odniesienia maks U (GS)(th)
250 µA
Obudowa
TO-236-3
Q(G)
5 nC
R(DS) wł.
85 mΩ
Sposób montażu
montaż na powierzchni
U(DSS)
30 V
U(GS)(th) max.
2 V
Wykonanie
Kanał-N
Zapytaj o produkt
Napisz swoją opinię